Технология полупроводниковых материалов. Перевод с английского под редакцией канд. физ.-мат. наук М. И. Иглицына ОБОРОНГИЗ Москва 1961. 314с.



В книге изложены основы современной технологии полупроводниковых материалов — германия и кремния. Наряду с теоретическими основами получения однородных и совершенных монокристаллов с заданными физическими свойствами, рассмотрены основные свойства полупроводниковых материалов, распределение примесей в кристаллах, методы выращивания и очистки монокристаллов, а также применяемая аппаратура. Освещены вопросы влияния термической обработки на свойства германия и кремния и методы получения монокристаллов германия и кремния с электронно-дырочными переходами. Специальная глава посвящена методам производственного контроля качества полупроводниковых материалов.
В настоящую книгу — первую из четырех книг серии «Полупроводниковые материалы и приборы» — включены все материалы из трех томов американского издания «Transistor Technology», относящиеся к вопросам технологии полупроводниковых материалов.
Книга может служить пособием для научных работников и инженеров-технологов, работающих в области полупроводниковой металлургии, а также для аспирантов и студентов высших учебных заведений. Последнее десятилетие ознаменовалось становлением и бурным развитием новой отрасли науки и техники — полупроводниковой электроники. Полупроводники вышли далеко за пределы исследовательских лабораторий и завоевали почетное место в самых разнообразных областях техники.
В настоящее время прогрессивное развитие радиоэлектроники, автоматики, телемеханики и телеуправления немыслимо без широкого применения малогабаритных, простых и надежных в эксплуатации полупроводниковых диодов, триодов (транзисторов), фотоприемников и пр. Усилиями наших ученых физиков, химиков, металлургов за эти годы были разработаны научные и технологические основы, которые создали реальную возможность организовать в настоящее время промышленное производство широкой номенклатуры разнообразных полупроводниковых приборов. Получает интенсивное развитие новая область — технология производства полупроводниковых приборов.
В то же время в обширной отечественной и зарубежной научно-технической литературе проблемам конструирования и производства полупроводниковых приборов уделяется очень мало внимания. Как правило, вопросы эти освещаются конспективно, опубликованные материалы содержат очень неполные сведения и не могут удовлетворить все возрастающий интерес читателей к развитию полупроводниковой электроники.
Предлагаемые вниманию читателей книги, объединенные нами в серию «Полупроводниковые материалы и приборы», в известной мере заполняют этот пробел. Серия состоит из четырех отдельных тематических выпусков: 1) «Технология полупроводниковых материалов», 2) «Расчет и проектирование полупроводниковых приборов», 3) «Производство полупроводниковых приборов», 4) «Методы измерения параметров полупроводниковых приборов» и представляет собой переработанный перевод с английского трехтомного издания «Transistor Technology», выпущенного в Соединенных Штатах Америки в 1958 г.
Издание это имеет свою предысторию. В 1952 г. фирмами Bell Telephone Laboratories и Western Electric Co. был организован симпозиум по полупроводниковой электронике, на котором ведущими специалистами этих фирм был прочитан цикл лекций поосновным проблемам технологии полупроводниковых материалов и приборов. Эти лекции, дополненные и переработанные, и составили основное содержание первого тома издания «Transistor Technology», вышедшего в свет в 1958 г. под редакцией Г. Бриджерса, Дж. Скаффа и Дж. Шайва. В этом томе последовательно изложен весь комплекс вопросов технологии полупроводниковых материалов, расчета, конструирования и производства точечно-контактных транзисторов и транзисторов с тянутыми р-п переходами. Одновременно в том же 1958 г. под редакцией Ф. Бионди вышли второй и третий тома этого издания, являющиеся по существу систематизированными сборниками статей по отдельным вопросам полупроводниковой электроники, опубликованных в периодической печати Соединенных Штатов Америки за период с 1952 по 1957 г.
Такое своеобразное построение английского оригинала, естественно, затруднило использование собранного в нем обширного материала, тем более что в настоящее время в полупроводниковой электронике уже весьма четко определилась вполне конкретизированная специализация. В связи с этим при переводе всех трех книг на русский язык было признано целесообразным издать их в виде четырех упомянутых выше тематических выпусков.
. В настоящем первом выпуске этой серии помещены материалы из всех трех книг «Transistor Technology», относящиеся к вопросу технологии полупроводниковых материалов (германия и кремния). Книга состоит из 12 глав, охватывающих практически все вопросы современной технологии полупроводниковых материалов. В целях максимальной систематизации материала в русском переводе в отдельных случаях частично изменена последовательность изложения, принятая в английском оригинале, и сокращены некоторые повторения.