Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К- М. Брежнева, Е. И. Гантман, Т. И. Давыдова и др. Под ред. Б. Л. Перельмана. — М.: Радио и связь, 1981. — 656 с, ил.



Приведены справочные данные на 200 биполярных и 21 полевых типов транзисторов. Предназначается для широкого круга читателей, занимающихся разработкой и эксплуатацией электронной аппаратуры. Может быть полезен студентам вузов и радиолюбителям.
Полупроводниковые приборы (диоды и транзисторы) благодаря малым габаритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надежности и долговечности широко применяются в различной радиоэлектронной аппаратуре. В настоящее время почти вся бытовая радиоэлектронная техника, включая телевизоры, приемники, магнитофоны и др., работает на полупроводниковых приборах и микросхемах. Применение полупроводниковых приборов в электронных вычислительных машинах позволило решить проблему достижения высоких эксплуатационных параметров ЭВМ при обеспечении требуемой надежности. Для конструирования надежных схем на транзисторах, т. е. для правильного выбора типа транзистора, грамотного расчета схем, выбора оптимального теплового и электрического режимов, необходимо располагать подробными сведениями, характеризующими эксплуатационные свойства транзистора. Настоящий справочник содержит общие указания и рекомендации по применению, сведения об условиях эксплуатации, а также данные по электрическим параметрам биполярных и полевых транзисторов более 200 типов. Проведена унификация габаритных чертежей (см. приложение 1) и вольт-амперных характеристик (представлено по одному семейству на каждый тип с указанием разных ступеней тока базы Д/б для каждой группы); обобщены и сведены в таблицы (см. приложение 2) данные по предельным условиям эксплуатации при воздействии различных внешних факторов (влажность, давление, механические нагрузки).
В первой части справочника кратко изложены принципы классификации транзисторов. Даются общие указания по эксплуатации и меры защиты от статического электричества.
Во второй части приведены справочные данные по транзисторам. Здесь использовались материалы технических условий и результаты экспериментальных исследований. Параметры, не нормированные изготовителем, даются полужирным шрифтом. Справочные данные включают в себя характерные для данного типа транзистора электрические параметры, предельно допустимые режимы, вольт-амперные характеристики и зависимости основных параметров от режима, температуры, частоты. Все параметры, их зависимости и ВАХ приведены для температуры окружающей среды 25 ± 10° С, если не оговорено другое значение температуры.
Типовые значения соответствуют медианным, а минимальные и максимальные— 95%-ному разбросу данного параметра для всей совокупности приборов. На графиках медианные значения показаны сплошными линиями, а границы 95%-ного разброса — штриховыми.
Для удобства пользования материал сгруппирован по классам, соответствующим принятому в ГОСТе делению транзисторов, по мощности и частоте, а внутри классов — по возрастанию номеров. В отличие от ГОСТа, выделен класс приборов для СВЧ диапазона, что представляется целесообразным в силу специфики приборов этого класса (склонность к самовозбуждению, нецелесообразность использования в статическом режиме и на низкой частоте, пониженная Устойчивость к воздействию статического электричества, определенные требования по условиям согласования и т. п.).
Отзывы и замечания по справочнику следует направлять в издательство *радио и связь» (101000, Москва, Главпочтамт, а/я 693). В настоящее время отечественной промышленностью выпускается большое количество биполярных и полевых транзисторов различных типов и назначения. Разработчику радиоэлектронной аппардтуры приходится выбирать нужные ему по электрическим параметрам и эксплуатационным режимам транзисторы из большой номенклатуры. Следует иметь в виду, что в обозначения транзисторов иногда вкрадываются ошибки из-за неправильного определения их частотных или мощностных свойств. Так случилось, например, с приборами типа КТ104А—КТ104Г или ГТ906А, ГТ906М и др. В данном справочнике такие приборы размещены по принятому принципу, т. е. по фактическому значению рабочей частоты и мощности рассеивания или отдаваемой мощности.
В настоящее время вводится новое, семиэлементное обозначение транзисторов, отличающееся от существующего трехзначным номером разработки. Несколько иная будет зависимость третьего элемента обозначения транзисторов от мощности и граничной частоты (табл. 3). Например, КП7235Г означает: кремниевый полевой транзистор с граничной частотой до 30 МГц и рассеиваемой мощностью больше 1 Вт, предназначенный для устройств широкого применения, номер разработки 235, группа Г; Корпус полупроводникового прибора предназначен для изоляции кристалла с переходами от воздействий внешней среды, обеспечения механической прочности прибора и отвода тепла, выделяющегося на переходах при работе прибора. Кроме того, корпус создает удобства при монтаже прибора в электронную аппаратуру.
Кристалл полупроводникового прибора с переходами особенно чувствителен к воздействию влаги, поэтому для подавляющего большинства полупроводниковых приборов требуется их полная герметизация. Существующие способы защиты поверхности полупроводника лаковым покрытием или окисными пленками оказываются недостаточными, чтобы оградить его от механического повреждения и проникновения вредных примесей из окружающей среды. Проникновение внутрь корпуса даже ничтожного количества влаги вызывает изменение характеристик полупроводниковых приборов. Наружная часть всех применяемых для полупроводниковых приборов корпусов состоит из двух частей: ножки и колпачка (баллона), соединяемых между собой различными способами, обеспечивающими полную герметизацию внутренней области прибора.
Полупроводниковые приборы выпускаются главным образом в металлостеклянных и металлокерамических корпусах. Но существуют и пластмассовые корпуса, которые получаются запрессованием кристалла прибора в пластмассовую оболочку. Основное их преимущество — малая стоимость и простота технологического процесса запрессовки.